Spektrální závislost generace náboje v polovodičových detektorech pomocí nanosekundových laserových pulsů

Abstract

Tato práce se zabývá studiem transportu náboje v polovodičovém detektoru tvořeného z materiálu CdZnTe. Teoretické modely rozložení nábojové hustoty jsou založeny na drift-difúzní rovnici s uvažováním nekonečné i konečné doby života nosičů náboje způsobené mělkou a hlubokou pastí. Tvary měřených proudových waveforem metodou L-TCT jsou fitovány metodou Monte Carlo. Získané hodnoty driftové pohyblivosti, profilu elektrického pole, času průchodu náboje a rychlost povrchové rekombinace jsou získány fitováním programem OriginPro.

This work deals with the study of charge transport in a semiconductor detector made of CdZnTe material. Theoretical models of charge density distribution are based on a drift-diffusion equation with consideration of infinite and finite lifetime of a charge carrier caused by a shallow and deep trap. The shapes of the measured waveforms with the L-TCT method are fitted by the Monte Carlo method. The obtained values of drift mobility, electric field profile, charge passage time and surface recombination rate are obtained by fitting with the OriginPro program.