Spektroskopie polovodičů s velmi vysokým časovým rozlišením
Spectroscopy of semiconductors with ultra-high time resolution
bakalářská práce (OBHÁJENO)
Zobrazit/ otevřít
Trvalý odkaz
http://hdl.handle.net/20.500.11956/119823Identifikátory
SIS: 216042
Katalog UK: 990023772510106986
Kolekce
- Kvalifikační práce [11972]
Autor
Vedoucí práce
Konzultant práce
Zukerstein, Martin
Oponent práce
Kozák, Martin
Fakulta / součást
Matematicko-fyzikální fakulta
Obor
Obecná fyzika
Katedra / ústav / klinika
Katedra chemické fyziky a optiky
Datum obhajoby
15. 7. 2020
Nakladatel
Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakultaJazyk
Čeština
Známka
Výborně
Klíčová slova (česky)
laserová spektroskopie, diamant, SiV centrumKlíčová slova (anglicky)
laser spectroscopy, diamond, SiV centerTato práce je zaměřena na sestavení a optimalizaci nového experimentálního uspořá- dání pro měření časově rozlišené propustnosti metodou excitace a sondování. Zkušební měření pak byla provedena na vzorku SiV center v diamantu. Teoretická část práce obsa- huje obecný popis luminescence barevných center. Následně se již zabývá přímo SiV centry v diamantu a detailně popisuje jejich strukturu, elektronické a spektrální vlastnosti. V experimentální části práce je uveden popis výsledné aparatury a její optimalizace. Pro SiV centra v diamantu byla proměřena závislost diferenciální propustnosti na excitační intenzitě a vlnové délce. Z výsledků měření pak byla určena doba života SiV center. 1
This thesis is aimed at building and optimization of a new experiment setup for measuring time-resolved transmittance using a pump-probe method. Test measurements were then conducted on a sample of SiV centers in diamond. The theoretical part contains a general description of luminescence of color centers. It then specifically focuses on SiV centers in diamond and describes their structure, electronic and spectral properties in detail. The description of our setup and its optimization is given at the beginning of the experimental part. The dependencies of differential transmittance of SiV centers in diamond on excitation intensity and wavelength were measured and the lifetime of SiV centers was then determined from our measurement results. 1
