Show simple item record

Strukturní defekty v SiC detektorech
dc.contributor.advisorBelas, Eduard
dc.creatorZetek, Matyáš
dc.date.accessioned2019-07-10T14:39:54Z
dc.date.available2019-07-10T14:39:54Z
dc.date.issued2019
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/20.500.11956/107665
dc.description.abstractSilicon karbid je širokopásový polovodič o šířce gapu 2.4 eV - 3.3eV. SiC je dobře znám pro své vlastnosti, které dovolují jeho aplikaci v extrémních podmínkách. Jeho potencionální uplatnění je například vysokofrekvenčních a silnoproudých aplikacích, nebo v místech se silnou radiací či vysokou teplotou. V této práci se zaměřujeme na základní výzkum strukturních defektů, který právě umožní vývoj takovýchto detektorů na bázi SiC. Konkrétně zkoumáme bodové defekty a identifikujeme jimi vytvořené hladiny v zakázaném pásu. K tomuto účelu používáme především Photo-Hall effect spectroscopy (PHES), kterou doplňujeme o měření teplotně závislého Hallova jevu a teplotně závislé fotoluminiscence.cs_CZ
dc.description.abstractSilicon carbide (SiC), is a wide band gap (2.4 eV < Eg < 3.3 eV) semiconducting material well known for its potential applications in high-temperature, high-power, high-frequency or hard radiation resistant devices. In this thesis, we are broadening elementary knowledge about this material. We identify energy levels in the material, using Photo-Hall effect spectroscopy supported by the temperature dependency of classic Hall effect measurement and temperature dependent photoluminescence. This knowledge is essential to allow SiC application as a radiation detector.en_US
dc.languageEnglishcs_CZ
dc.language.isoen_US
dc.publisherUniverzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakultacs_CZ
dc.subjectSiCen_US
dc.subjectDefectsen_US
dc.subjectAnnealingen_US
dc.subjectHall effecten_US
dc.subjectPhotoluminescenceen_US
dc.subjectTransient currentsen_US
dc.subjectSiCcs_CZ
dc.subjectdefektycs_CZ
dc.subjectžíhánícs_CZ
dc.subjectHallův jevcs_CZ
dc.subjectFotoluminiscencecs_CZ
dc.subjectTransientní proudycs_CZ
dc.titleStructure defects in SiC radiation detectorsen_US
dc.typediplomová prácecs_CZ
dcterms.created2019
dcterms.dateAccepted2019-06-19
dc.description.departmentInstitute of Physics of Charles Universityen_US
dc.description.departmentFyzikální ústav UKcs_CZ
dc.description.facultyFaculty of Mathematics and Physicsen_US
dc.description.facultyMatematicko-fyzikální fakultacs_CZ
dc.identifier.repId177475
dc.title.translatedStrukturní defekty v SiC detektorechcs_CZ
dc.contributor.refereeHazdra, Pavel
thesis.degree.nameMgr.
thesis.degree.levelnavazující magisterskécs_CZ
thesis.degree.disciplineOptics and Optoelectronicsen_US
thesis.degree.disciplineOptika a optoelektronikacs_CZ
thesis.degree.programPhysicsen_US
thesis.degree.programFyzikacs_CZ
uk.faculty-name.csMatematicko-fyzikální fakultacs_CZ
uk.faculty-name.enFaculty of Mathematics and Physicsen_US
uk.faculty-abbr.csMFFcs_CZ
uk.degree-discipline.csOptika a optoelektronikacs_CZ
uk.degree-discipline.enOptics and Optoelectronicsen_US
uk.degree-program.csFyzikacs_CZ
uk.degree-program.enPhysicsen_US
thesis.grade.csVýborněcs_CZ
thesis.grade.enExcellenten_US
uk.abstract.csSilicon karbid je širokopásový polovodič o šířce gapu 2.4 eV - 3.3eV. SiC je dobře znám pro své vlastnosti, které dovolují jeho aplikaci v extrémních podmínkách. Jeho potencionální uplatnění je například vysokofrekvenčních a silnoproudých aplikacích, nebo v místech se silnou radiací či vysokou teplotou. V této práci se zaměřujeme na základní výzkum strukturních defektů, který právě umožní vývoj takovýchto detektorů na bázi SiC. Konkrétně zkoumáme bodové defekty a identifikujeme jimi vytvořené hladiny v zakázaném pásu. K tomuto účelu používáme především Photo-Hall effect spectroscopy (PHES), kterou doplňujeme o měření teplotně závislého Hallova jevu a teplotně závislé fotoluminiscence.cs_CZ
uk.abstract.enSilicon carbide (SiC), is a wide band gap (2.4 eV < Eg < 3.3 eV) semiconducting material well known for its potential applications in high-temperature, high-power, high-frequency or hard radiation resistant devices. In this thesis, we are broadening elementary knowledge about this material. We identify energy levels in the material, using Photo-Hall effect spectroscopy supported by the temperature dependency of classic Hall effect measurement and temperature dependent photoluminescence. This knowledge is essential to allow SiC application as a radiation detector.en_US
uk.file-availabilityV
uk.publication.placePrahacs_CZ
uk.grantorUniverzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, Fyzikální ústav UKcs_CZ
thesis.grade.code1


Files in this item

Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail
Thumbnail

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record


© 2017 Univerzita Karlova, Ústřední knihovna, Ovocný trh 3-5, 116 36 Praha; email: admin-repozitar [at] cuni.cz

Za dodržení všech ustanovení autorského zákona jsou zodpovědné jednotlivé složky Univerzity Karlovy. / Each constituent part of Charles University is responsible for adherence to all provisions of the copyright law.

Upozornění / Notice: Získané informace nemohou být použity k výdělečným účelům nebo vydávány za studijní, vědeckou nebo jinou tvůrčí činnost jiné osoby než autora. / Any retrieved information shall not be used for any commercial purposes or claimed as results of studying, scientific or any other creative activities of any person other than the author.

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
Theme by 
@mire NV