Lineární terahertzová spektroskopie polovodičových nanostruktur
Linear terahertz spectroscopy of semiconductor nanostructures
bachelor thesis (DEFENDED)
View/ Open
Permanent link
http://hdl.handle.net/20.500.11956/101899Identifiers
Study Information System: 198907
Collections
- Kvalifikační práce [10678]
Author
Advisor
Referee
Výborný, Karel
Faculty / Institute
Faculty of Mathematics and Physics
Discipline
General Physics
Department
Department of Chemical Physics and Optics
Date of defense
13. 9. 2018
Publisher
Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakultaLanguage
Czech
Grade
Excellent
Keywords (Czech)
terahertzová spektroskopie,vodivost polovodičů,nanostrukturyKeywords (English)
terahertz spectroscopy,semiconductor conductivity,nanostructuresV této práci je využito kvantového modelu elektronové vodivosti polovodičových nanostruktur zavedeného v [4]. Vodivost je vypočtena v prvním řádu poruchového počtu s přidáním termalizačního proudu. Hlavní část této práce je věnována výpočtu vodivosti krystalu tvaru plné nebo duté koule za použití zmíněného modelu. Vypočteného vzorce je dále využito k numerickému výpočtu vodivostního spektra GaAs v terahertzové oblasti, které je pak graficky znázorněno.
In this thesis there is used quantum model of electron conductivity of semiconductor nanostructures introduced in [4].Conductivity is calculated in first order perturbation theory with addition of thermalization current. Main focus of this thesis is concerned on calculation of conductivity of crystal shaped full or hollow sphere with use of above mentioned model. Calculated equation is then used for numerical calculation of conductivity spectra of GaAs in terahertz region, that is then graphically visualised.