Browsing by Advisor "Ošťádal, Ivan"
Now showing items 1-17 of 17
-
Adsorption of Metal Atoms and Growth of Metal Nanostructures on Silicon Surface - STM Study
Defence status: DEFENDED(Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2021)Date of defense: 10. 12. 2021Chování kovů III (Al) a IV (Sn) skupiny na povrchu Si(100) bylo studováno metodou skenovací tunelové mikroskopie v teplotním rozmezí 115 K až 350 K. Vývoj délek cínových řetíšků při pokojové a vyšší teplotě byl studován ... -
Adsorption of Metal Atoms and Growth of Metal Nanostructures on Silicon Surface - STM Study
Defence status: RECOGNIZED(Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2022)Date of defense: 19. 1. 2022Chování kovů III (Al) a IV (Sn) skupiny na povrchu Si(100) bylo studováno metodou skenovací tunelové mikroskopie v teplotním rozmezí 115 K až 350 K. Vývoj délek cínových řetíšků při pokojové a vyšší teplotě byl studován ... -
Analýza fluktuací tunelového proudu v STM
Defence status: DEFENDED(Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2014)Date of defense: 11. 9. 2014Práce se zabývá analýzou fluktuací tunelového proudu v skenovací tunelovací mikroskopii (STM). Je studována dynamika atomů Sn na povrchu Si (111) 7x7 za použití časového záznamu tunelového proudu. Z jeho zpracování jsou ... -
Early stages of indium growth on the Si (100) surface
Defence status: DEFENDED(Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2011)Date of defense: 20. 9. 2011Samo-organizované řetízky z atomů kovů III a IV skupiny na povrchu Si(100)-2×1 jsou předmětem výzkumu pro možné aplikace v nanosoučástkách. V této disertační práci pomocí skenovací tunelové mikroskopie (STM) experimentálně ... -
Interaction of group III and IV metals with Si(100) surface in temperature range from 20 to 800K
Defence status: DEFENDED(Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2012)Date of defense: 23. 1. 20121 Title: Interaction of group III and IV metals with Si(100) surface in temperature range from 20 to 800 K Author: Martin Setvín Department: Departement of Surface and Plasma Science Supervisor of the doctoral thesis: Doc. ... -
Manipulace s atomy na povrchu křemíku pomocí rastrovacího tunelového mikroskopu
Defence status: DEFENDED(Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2009)Date of defense: 10. 9. 2009 -
Modification of silicon surfaces for selective adsorption
Defence status: DEFENDED(Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2018)Date of defense: 12. 9. 2018Práce se zabývá adsorpcí ftalocyaninů na cínem a indiem pasivovaných površích křemíku Si(111) s rekonstrukcí √3 × √3 při pokojové teplotě. Pomocí skenovací tunelové mikroskopie byly získány atomárně rozlišené obrázky ... -
Studium adsorpce a mobility atomů Al na povrchu Si(100)
Defence status: DEFENDED(Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2013)Date of defense: 18. 9. 2013Tématem práce je r st hliníkových útvar jednorozm rných etízk na povrchu Si(100). Pomocí STM byly zm eny r stové charakteristiky Al na Si(100) p i pokojové a vy í teplot a r zných hodnotách pokrytí. Výsledky jsou diskutovány ... -
Studium adsorpce atomů kovů na povrchu Si(111) 7x7 pomocí STM
Defence status: DEFENDED(Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2006)Date of defense: 13. 9. 2006Cílem práce je studium přeskoků jednoho atomu stříbra mezi adsorpčními pozicemi uvnitř půlcely povrchu Si(111) rekonstrukce 7×7. Z jejich studia je možné určit aktivační energie a frekvenční prefaktory pro přeskoky mezi ... -
Studium adsorpce kovů na Si(100)2×1 pomocí STM při nízkých teplotách
Defence status: DEFENDED(Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2011)Date of defense: 23. 6. 2011Práce se zabývá přípravou UHV aparatury umožňující měření skenovacím tunelovým mikroskopem při nízkých teplotách a studiem jednorozměrných hliníkových struktur na povrchu Si(100)2 × 1. Byla provedena kalibrační měření ... -
Studium heteroepitaxe kovů na povrchu Si(100)2x1 pomocí STM
Defence status: DEFENDED(Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2006)Date of defense: 22. 5. 2006 -
Studium interakce hrotu rastrovacího tunelového mikroskopu s atomy kovu na povrchu křemíku
Defence status: DEFENDED(Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2007)Date of defense: 26. 6. 2007 -
Studium mobility atomů kovů na povrchu Si(100) pomocí STM
Defence status: DEFENDED(Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2012)Date of defense: 20. 9. 2012Práce se zabývá studiem difúze kovů III. a IV. skupiny na povrchu Si(100). Jsou popsány tři různé metody, jak je možné určit hodnoty difúzních bariér a diskutovány neshody v publikovaných výsledcích. Růst hliníku na Si(100) ... -
Studium pohyblivosti atomů kovů na povrchu Si(100)2×1 pomocí STM
Defence status: DEFENDED(Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2010)Date of defense: 14. 9. 2010 -
Studium růstu 1-D struktur obsahujících atomy kovů III a IV skupiny pomocí STM
Defence status: DEFENDED(Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2011)Date of defense: 23. 9. 2011Práce se zabývá studiem struktur Al a Sn na povrchu Si(100) s rekonstrukcí 2$\times$1 pomocí STM. Jsou studovány zvláštnosti zobrazování a morfologie kovových struktur. Z STM měření jsou pro Al a Sn získány růstové ... -
Štúdium adsorpcie a pohyblivosti molekúl ftalocyanínov na pasivovanom povrchu kremíku pri zníženej teplote pomocou STM
Defence status: DEFENDED(Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2019)Date of defense: 12. 9. 2019Práca sa zaoberá prípravou experimentu pre štúdium adsorpcie molekúl ftalocyanínu na povrchu kremíka pasivovaného cínovou rekonštrukciou. Hlavnou používanou experimentálnou technikou je zobrazovanie povrchu skenovacím ... -
Vliv snižování teploty povrchu křemíku Si(100) na morfologii růstu kovu při malém pokrytí
Defence status: DEFENDED(Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2015)Date of defense: 11. 9. 2015Práce se zabývá studiem růstu cínových řetízků na povrchu Si(100) připravovaných napařováním při teplotách nižších než pokojová. Pomocí skenovací tunelové mikroskopie (STM) byly ...