• Charge transport in semiconducting radiation detectors 

      Pipek, Jindřich (Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2018)
      Date of defense: 11. 9. 2018
      Tato práce se zaměřuje na studium transportu náboje v polovodičových detektorech záření. Jsou provedeny teoretické výpočty proudových závislostí založené na rovnici kontinuity a drift-difúzní rovnici. Užitečné aproximace ...
    • Detekce gama a Rtg záření detektory připravenými z monokrystalů (CdZn)Te. 

      Drobný, Miloslav (Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2011)
      Date of defense: 23. 6. 2011
      V předložené práci byl studován vliv kovových kontaktů připravených na detektorech z vysokoodporového polovodičového materiálu Cd0,85Zn0,15Te na kvalitu detekovaného signálu. Cílem práce bylo vytvoření ohmických kontaktů. ...
    • Detektory RTG a gama záření na bázi polovodiče CdTe/CdZnTe 

      Pekárek, Jakub (Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2013)
      Date of defense: 19. 9. 2013
      In the present work we studied an influence of different types of surface etching and surface passivation of high resistivity CdZnTe-based semiconductor detector material. The aim was to find the optimal conditions to ...
    • Difúze přirozených defektů a příměsí v CdTe/CdZnTe 

      Šedivý, Lukáš (Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2012)
      Date of defense: 18. 9. 2012
      Název práce: Difúze přirozených defektů a příměsí v CdTe/CdZnTe. Autor: Lukáš Šedivý e-mail autora: luky.sedivy@seznam.cz Katedra (ústav): Fyzikální ústav Univerzity Karlovy Vedoucí bakalářské práce: Doc. Ing. Eduard Belas, ...
    • Dynamics of structural defects in CdTe-based semiconductors 

      Bugár, Marek (Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2011)
      Date of defense: 23. 9. 2011
      Title: Dynamics of structural defects in CdTe-based semiconductors Author: RNDr. Marek Bugár Institute: Institute of Physics, Charles University in Prague Supervisor of the doctoral thesis: Doc. Ing. Eduard Belas CSc.; ...
    • Elektrické a optické vlastnosti monokrystalů ZnO 

      Zetek, Matyáš (Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2016)
      Date of defense: 9. 9. 2016
      Pomocí měření Hallova jevu do nízkých teplot byly studovány elektrické a optické vlastnosti monokrystalů ZnO. Studovali jsme vliv defektů na tyto vlastnosti. Zkoumali jsme donorové a akceptorové hladiny v materiálu a ...
    • Elektromigrace defektů v polovodičích (CdZn)Te. 

      Pekárek, Jakub (Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2011)
      Date of defense: 13. 9. 2011
      V předložené práci je studován efekt elektromigrace defektů v materiálu (CdZn)Te ve vnějším elektrickém poli, při několika různých teplotách a proudech. Cílem práce bylo ověřit tento efekt pomocí několika elektrických ...
    • Optická charakterizácia transportu náboja v polovodičových detektoroch žiarenia 

      Ridzoňová, Katarína (Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2016)
      Date of defense: 15. 9. 2016
      Merania foto-voltampérových charakteristík, spektrálnej závislosti fotoprúdu a laserom indukovaných tranzientných prúdov umožňujú výskum povrchových rekombinačných centier, objemových pascových hladín a profilu vnútorného ...
    • Optická charakterizácia transportu náboja v polovodičových detektoroch žiarenia 

      Ridzoňová, Katarína (Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2018)
      Date of defense: 5. 2. 2018
      Measurements of DC photocurrent-voltage characteristic, photocurrents spectral response and laser induced transient current technique enable investigation of surface recombination centers, bulk trap levels and distribution ...
    • Room-temperature semiconducting detectors 

      Pekárek, Jakub (Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2017)
      Date of defense: 15. 9. 2017
      Semiconducting material CdTe/CdZnTe has a huge application potential in spectroscopic room temperature radiation detection due to its properties. Such detectors can be used in medical applications, homeland security and ...
    • Structure defects in SiC radiation detectors 

      Zetek, Matyáš (Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2019)
      Date of defense: 19. 6. 2019
      Silicon karbid je širokopásový polovodič o šířce gapu 2.4 eV - 3.3eV. SiC je dobře znám pro své vlastnosti, které dovolují jeho aplikaci v extrémních podmínkách. Jeho potencionální uplatnění je například vysokofrekvenčních ...
    • Structure defects in SiC radiation detectors 

      Zetek, Matyáš (Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2019)
      Date of defense: 26. 11. 2019
      Silicon karbid je širokopásový polovodič o šířce gapu 2.4 eV - 3.3eV. SiC je dobře znám pro své vlastnosti, které dovolují jeho aplikaci v extrémních podmínkách. Jeho potencionální uplatnění je například vysokofrekvenčních ...
    • Transport and optical properties of CdTe/CdZnTe single crystals 

      Uxa, Štěpán (Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2015)
      Date of defense: 9. 1. 2015
      Title: Transport and optical properties of CdTe/CdZnTe single crystals Author: Štěpán Uxa Department: Institute of Physics of Charles University Supervisor: Assoc. Prof. Eduard Belas, PhD, Institute of Physics of Charles ...
    • Úprava struktury defektů v polovodičích CdTe/CdZnTe žíháním v Cd a Te parách 

      Šedivý, Lukáš (Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2010)
      Date of defense: 22. 6. 2010
    • Vliv kontaktů na sběr náboje v detektorech rtg a gama záření 

      Pipek, Jindřich (Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2016)
      Date of defense: 13. 9. 2016
      V této práci byl studován vliv kovových kontaktů připravených z alkoholového a vodního roztoku chloridu zlatitého na polovodičovém materiálu CdZnTe na detekční schopnosti detektoru rtg a gama záření. Na kvalitu kontaktů ...
    • Vliv žíhání na koncentraci přirozených defektů v polovodičích (CdZn)Te. 

      Bugár, Marek (Univerzita Karlova, Matematicko-fyzikální fakulta, 2007)
      Date of defense: 14. 5. 2007
      Práca je zameraná na výskum optimálních podmienok žíhania, ktoré vedú k výraznému zníženiu koncentrácie prirodzených defektov v polovodičoch (CdZn)Te. Požiadavky kladené na materiál (CdZn)Te používaný ako podložky pre tenké ...

      © 2017 Univerzita Karlova, Ústřední knihovna, Ovocný trh 3-5, 116 36 Praha; email: admin-repozitar [at] cuni.cz

      Za dodržení všech ustanovení autorského zákona jsou zodpovědné jednotlivé složky Univerzity Karlovy. / Each constituent part of Charles University is responsible for adherence to all provisions of the copyright law.

      Upozornění / Notice: Získané informace nemohou být použity k výdělečným účelům nebo vydávány za studijní, vědeckou nebo jinou tvůrčí činnost jiné osoby než autora. / Any retrieved information shall not be used for any commercial purposes or claimed as results of studying, scientific or any other creative activities of any person other than the author.

      DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
      Theme by 
      @mire NV